スイッチング電源の特性と電磁干渉の抑制のテクニカル分析
1980年代と1990年代に、中国の電磁汚染の制御を強化するために、CISPRやIEC801などの国際基準に対応するいくつかの基準が策定されました。 2003年8月1日に中国の義務認証（3C）-K認証の義務的な実施（3C）-K認証以来、「電磁互換性熱」の波がありました。近距離電磁干渉の研究と制御は、電子研究者の注目をますます引き付け、研究分野の新しいホットスポットになっています。この記事では、通信スイッチ電源における電気干渉の生成メカニズムの関連する抑制技術について体系的に説明します。
スイッチモード電源の基本的な特性
スイッチング電源には4つの基本的な特性があります。
①場所は比較的明確です。主に電源スイッチングデバイス、ダイオード、ヒートシンク、およびそれらに接続された高周波変圧器に焦点を当てています。
eenergyエネルギー変換デバイスは、スイッチ状態で動作します。スイッチング電源はスイッチング状態で動作するエネルギー変換デバイスであるため、その電圧と電流の変化速度は高く、その結果、干渉強度が大きくなります。
power電源プリント回路基板（PCB）の配線は通常、手動で配置されます。この配置により、柔軟性が大きくなり、PCB分布パラメーターを抽出し、近畑の干渉を予測および評価することの難しさが高まります。
switchingスイッチング周波数は、数万Hzからいくつかのメガヘルツまでの範囲で高く、干渉の主な形態は干渉と近接型干渉を実施します。
スイッチ回路によって生成された電磁干渉
スイッチング回路は、主にスイッチングチューブと高周波変圧器で構成されるスイッチング電源のコアです。それによって生成されるDV/dtは、大きな振幅、広い周波数帯域、およびリッチハーモニクスを備えたパルスです。このパルス干渉の主な理由は2つあります。一方で、スイッチングチューブの負荷は高周波トランスの主要なコイルであり、誘導負荷です。スイッチチューブがオンになっている瞬間に、プライマリコイルで大きなサージ電流が生成され、プライマリコイルの両端に高サージピーク電圧が現れます。スイッチチューブが切断されている瞬間、一次コイルの漏れフラックスのために、エネルギーの一部は一次コイルからセカンダリコイルに送信されません。インダクタに保存されているエネルギーは、コレクター回路の静電容量と抵抗を伴うピークとの崩壊振動を形成し、ターンオフ電圧で重ね合わせてターンオフ電圧ピークを形成します。このタイプの電源電圧の中断は、プライマリコイルが接続されたときと同じ過渡磁化インパルス電流を生成し、このノイズは入力端子と出力端子に伝導され、干渉が形成されます。一方、プライマリコイル、スイッチングチューブ、およびパルストランスのろ過コンデンサで構成される高周波スイッチング電流ループは、有意な空間放射を生成し、放射線干渉を形成する可能性があります。
