パワーEMI技術伝送路
干渉を伝導する伝送チャネル
(1) 容量結合
(2) 誘導結合
(3) 抵抗結合
ａ． 公衆電源の内部抵抗により生じる抵抗伝導結合
b. 共通アース線のインピーダンスによって生じる抵抗伝導結合
c. 公衆回線のインピーダンスにより生じる抵抗伝導結合
スイッチング電源のEMI抑制技術
(1) dv/dt と di/dt を小さくする（ピークと傾きを小さくする）
(2) バリスタの合理的な適用によるサージ電圧の低減
(3) オーバーシュートを抑制するダンピングネットワーク
(4) 高周波EMIを低減するソフトリカバリ特性を備えたダイオード
(5) 能動力率改善等の高調波補正技術
(6) 合理的な設計の電源ラインフィルタの採用
(7) 合理的な接地処理
(8) 効果的な遮蔽対策
(9) 合理的な基板設計
スイッチングパワーEMIテクノロジー干渉源
(1) 電源スイッチチューブ
電源スイッチはオンオフの高速サイクル遷移状態で動作し、dv/dt と di/dt の両方が急速に変化します。 したがって、電源スイッチは電界結合の主な干渉源であるだけでなく、磁界結合の主な干渉源でもあります。
(2)
高周波トランスの EMI 源は主に、漏れインダクタンスに対応する di/dt 高速周期変換に反映されるため、高周波トランスは磁界結合に対する重要な干渉源となります。
(3) 整流ダイオード
整流ダイオードの EMI 源は主に逆回復特性に反映されます。 逆回復電流が断続的に発生すると、インダクタ (リード インダクタンス、浮遊インダクタンスなど) に高い dv/dt が発生し、強い電磁干渉が発生します。
(4) プリント基板
正確には、pCB は前述の干渉源の結合チャネルであり、pCB の品質は EMI 源抑制の品質に直接対応します。
高周波トランスの漏れインダクタンスの制御
高周波トランスの漏れインダクタンスは、電源スイッチのオフピーク電圧が発生する重要な原因の 1 つです。 したがって、高周波トランスによって引き起こされるEMIを解決するには、漏れインダクタンスを制御することが主要な問題となっています。
高周波トランスの漏れインダクタンスを低減するには、電気設計とプロセス設計の 2 つのエントリ ポイントが必要です。
(1) 漏れインダクタンスを低減するために適切な磁心を選択してください。 漏れインダクタンスは元の側巻きの二乗に比例し、巻き数を減らすと漏れインダクタンスが大幅に減少します。
(2) 巻線間の絶縁層を減らす。 現在、厚さ20-100μm、パルス降伏電圧は数千ボルトの「金薄膜」と呼ばれる絶縁層があります。
(3) 巻線間の結合を高め、漏れインダクタンスを低減します。
