スイッチング電源の設計において、EMI を防止するためにどのような対策を講じることができますか?
1. スイッチング管のドレインとコレクタ、一次巻線と二次巻線のノードなど、PCB 銅箔領域のノイズ回路ノードを最小限に抑えます。
2. 入力端子と出力端子を、トランスのワイヤラップ、トランスのコア、スイッチングチューブのヒートシンクなどのノイズの多い部品から離してください。
3. ノイズの多いコンポーネント（シールドされていない変圧器のワイヤラップ、シールドされていない変圧器のコア、スイッチングチューブなど）を、通常の動作時に外部のアース線に近づく可能性が高いエンクロージャの端から遠ざけます。
4. トランスが電界から遮蔽されていない場合は、シールドとヒートシンクをトランスから離してください。
5. 二次（出力）整流器、一次スイッチング電源デバイス、ゲート（ベース）駆動ライン、補助整流器などの電流ループの面積を最小限に抑えます。
6. ゲート（ベース）駆動リターンループを一次スイッチング回路または補助整流回路と混在させないでください。
7. スイッチのデッドタイム中にリンギングノイズが発生しないように、ダンピング抵抗器の値を調整して最適化します。
8. EMI フィルタ インダクタの飽和を防止します。
9. コーナーノードと二次回路コンポーネントを一次回路シールドまたはスイッチングチューブヒートシンクから離してください。
10. 一次回路本体のスイング ノードとコンポーネントをシールドまたはヒート シンクから離します。
11. 高周波入力 EMI フィルタを入力ケーブルまたはコネクタ端子の近くに配置します。
12.高周波出力EMIフィルタを出力線端子の近くに配置します。
13. EMI フィルタの反対側の PCB 基板の銅箔と部品本体の間に一定の距離を保ちます。
14. 補助コイルの整流器のライン上に抵抗器をいくつか配置します。
15. ダンピング抵抗器を磁石バーコイルと並列に接続します。
16. 出力 RF フィルタ端子と並列にダンピング抵抗を配置します。
17. PCB 設計では、トランス一次側の静的端と補助巻線の間に 1nF/500V のセラミック コンデンサまたは一連の抵抗器を配置できるようにします。
18. EMI フィルタを電源トランスから離してください。特に、巻線の端に配置しないようにしてください。
19. PCB 領域が十分な場合は、シールド巻線用の足スペースと、シールド巻線に接続できる RC ダンパー用のスペースを PCB 上に残します。
20. スペースに余裕がある場合は、スイッチングパワーFETのドレインとゲートの間に小さなラジアルリードコンデンサ（ミラーコンデンサ、10 pF / 1 kVの容量）を配置します。
21. スペースに余裕がある場合は、DC 出力に小さな RC ダンパーを配置します。
22. AC ソケットをプライマリスイッチングチューブのヒートシンクに当てないでください。
