スイッチング電源のEMI技術移転チャネル
スイッチング電源 EMI技術 伝送チャネル
（I）伝導干渉伝送チャネル
（１）静電結合
（２）誘導結合
（３）抵抗結合
a. 公共電源の内部抵抗によって発生する抵抗伝導結合
b. 公共接地インピーダンスによって生成される抵抗伝導結合
c. 共通線路インピーダンスによって生成される抵抗性導電結合
スイッチング電源のEMI抑制技術
（１）dv/dtとdi/dtを減らす（ピーク値を減らし、傾きを緩やかにする）
（２）サージ電圧を低減するためのバリスタの合理的な適用
（３）オーバーシュートを抑制するダンピングネットワーク
（４）ダイオードのソフトリカバリ特性を利用して高周波帯域のEMIを低減する
（５）能動力率補正およびその他の高調波補正技術
（６）合理的に設計された電力線フィルタの使用
（７）合理的な根拠
（８）効果的な遮蔽対策
（９）合理的なPCB設計
スイッチング電源のEMI技術の干渉源
（１）電源切替管
電力スイッチング管はオンオフの急速サイクル変換状態で動作し、dv/dt と di/dt は急速な変化にあるため、電力スイッチング管は電界結合干渉の主な発生源であると同時に、磁界結合干渉の主な発生源でもあります。
(2)
高周波トランスの EMI 発生源は、漏れインダクタンスに対応する di/dt の急速な周期的変化に集中しているため、高周波トランスは磁場結合の重要な干渉源となります。
（３）整流ダイオード
整流ダイオードの EMI 発生源は逆回復特性に集中しており、逆回復電流の断続点によりインダクタンス (リードインダクタンス、浮遊インダクタンスなど) に高い dv/dt が発生し、強い電磁干渉が発生します。
（４）pCB
正確に言えば、pCB は上記の干渉源の結合チャネルであり、pCB の利点と欠点は上記の EMI 源の抑制の良し悪しに直接対応します。
