エレクトロニクス産業におけるマイクロデバイスへの赤外線顕微鏡の応用
1. 応用の方向性: 小型半導体デバイスの温度試験における赤外線顕微鏡の役割
2. 背景の紹介:
ナノテクノロジーの発展に伴い、そのトップダウン微細化手法は半導体技術の分野でますます応用されています。 トランジスタのサイズがミクロン（10-6メートル）レベルであるため、私たちはIC技術を「マイクロエレクトロニクス」技術と呼んでいました。 しかし、半導体技術は非常に急速に発展しています。 2年ごとに1世代改良が行われ、サイズが半分に縮小されます。 これが有名なムーアの法則です。 半導体は約15年前からミクロン時代よりもさらに小さいサブミクロン時代に突入し、さらにミクロン時代よりもさらに小さいサブミクロン時代に突入しました。 2001 年までに、トランジスタは 0.1 ミクロン、つまり 100 ナノメートルよりもさらに小さくなりました。 したがって、今はナノエレクトロニクスの時代であり、将来の IC のほとんどはナノテクノロジーで作られるでしょう。
3. 技術的要件:
現在、電子機器の主な故障モードは熱故障です。 統計によると、電子機器の故障の 55% は、規定値を超えた温度が原因です。 温度が上昇すると、電子機器の故障率は指数関数的に増加します。 一般に、電子部品の動作信頼性は温度に非常に敏感であり、デバイスの温度が 70-80 度レベルで 1 度上昇するたびに、信頼性は 5% 低下します。 したがって、デバイスの温度を迅速かつ確実に検出する必要があります。 半導体デバイスのサイズがますます小さくなるにつれて、検出装置の温度分解能と空間分解能に対する要件が高くなります。
4. 現場撮影ヒートマップ
