エレクトロニクス産業のマイクロデバイスにおける赤外線顕微鏡の応用
背景の紹介
ナノテクノロジーの発展に伴い、そのトップダウン微細化手法は半導体技術の分野でますます応用されています。 IC 技術は、トランジスタのサイズがマイクロメートルスケール (10-6 メートル) であったため、以前は「マイクロエレクトロニクス」技術と呼ばれていました。
それにもかかわらず、半導体技術は急速に進歩しており、2 年ごとに新世代が登場し、機能サイズは半分に縮小しています。これが有名なムーアの法則です。約 15 年前、半導体業界は寸法が 1 マイクロメートルよりも小さいサブミクロン時代に突入し、その後、フィーチャ サイズが 1 マイクロメートルをはるかに下回るディープ サブミクロン時代が始まりました。 2001 年までに、トランジスタの寸法は 0.1 マイクロメートル未満、つまり 100 ナノメートル未満にまで下がりました。したがって、現在はナノエレクトロニクスの時代にあり、将来の集積回路 (IC) のほとんどはナノテクノロジーを使用して製造されることになります。
技術的要件
現在、電子部品の主な故障モードは熱故障です。統計によると、電子デバイスの故障の 55% は、指定された制限を超える温度によって引き起こされます。温度が上昇すると、電子機器の故障率は指数関数的に増加します。一般に、電子コンポーネントの動作信頼性は温度に非常に敏感です。デバイス温度が 70 ～ 80 度の範囲にある場合、1 度上昇するごとに信頼性が 5% 低下します。したがって、コンポーネントの迅速かつ信頼性の高い温度測定が必要です。半導体デバイスのサイズが縮小し続けるにつれて、検査装置の温度分解能と空間分解能に対する要求が高まっています。
