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モノリシックスイッチング電源回路の設計要件

Sep 08, 2024

モノリシックスイッチング電源回路の設計要件

 

(1) TOpSwitch II のフィードバック回路では、出力回路からフォトカプラを絶縁する必要があります。高精度スイッチング電源を設計する場合は、調整可能な TL431 高精度関連電圧レギュレータも追加して外部誤差アンプを形成し、サンプリング回路内の電圧レギュレータを置き換える必要があります。高精度スイッチング電源の電圧調整率 Sv と電流調整率 Sl は両方とも約 ± 0.2% に達する可能性があり、これはリニア統合電圧レギュレータの指標に近い値​​です。


(2) pC817A、NEC2501、6N137 など、直線的に変化する電流伝達率 (CTR) を持つフォトカプラを選択する必要があります。4N25、4N35 などの通常のフォトカプラの使用は推奨されません。後者は直線性が悪く、アナログ信号を送信するときに歪みが発生し、スイッチング電源の電圧調整性能に影響を与える可能性があります。


(3) 高周波トランスの一次側には、漏れインダクタンスによるピーク電圧を吸収し、MOSFET が損傷しないように保護回路を設けてください。この保護回路は一次側​​に並列に接続する必要があり、具体的な設計手法は 4 つあります。 ① 過渡電圧抑制ダイオード (TVS) と超高速回復ダイオード (SRD) で構成されるクランプ回路。 ② TVS とシリコン整流器 (VD) で構成されるクランプ回路。 ③抵抗容量素子とSRDで構成される吸収回路。 ④ 抵抗・容量成分とVDで構成される吸収回路。上記のうち、TVS の応答速度が非常に速く、高エネルギーの過渡パルスに強いという利点を最大限に活かすことができる①の効果が最も優れています。オプション 2 が 2 番目です。


(4) チップを使用する場合は、適切なヒートシンクを追加する必要があります。 TO-220 パッケージの場合、小型 PCB に直接実装できます。 DIp-8 および SMD-8 パッケージの場合、ヒートシンクの代わりに 2.3 銅箔の面積を持つプリント基板に 4 つのソース電極をはんだ付けできます。


(5) 電力網から導入される干渉を抑制し、スイッチング電源によって発生する干渉が外部に伝達されるのを防ぐために、電源ノイズ フィルタとも呼ばれる電磁干渉フィルタ (EMIfilter) を追加する必要があります。 pNF)、電源の入力端にあります。

(6) このタイプのチップを使用する場合、ソースリードはできるだけ短くする必要があります。無負荷または軽負荷で安定した出力電圧を確保するには、最小負荷として電圧レギュレータの出力端子に数百オームの抵抗を接続するか、電圧レギュレータを並列に接続する必要があります。

 

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