マルチメータを使用したFETの識別と判定
電界効果トランジスタ、略してFET。一般的なトランジスタは、伝導に関与する 2 つの極性の電荷キャリア、つまり多数電荷キャリアと反対極性の少数電荷キャリアで構成されているため、バイポーラ トランジスタと呼ばれます。対照的に、FET は伝導に関与する多数電荷キャリアのみで構成されており、バイポーラとは逆であり、ユニポーラ トランジスタとしても知られています。これは電圧制御半導体デバイスに属し、高入力抵抗 (108 ～ 109 Ω)、低ノイズ、低消費電力、大きなダイナミック レンジ、容易な集積化、二次降伏現象の発生がなく、安全な作業領域が広いという利点があります。バイポーラトランジスタやパワートランジスタの強力な競争相手となっています。
電界効果トランジスタのテスト
1. 接合型電界効果トランジスタのピン識別:
電界効果トランジスタのゲートはトランジスタのベースに相当し、ソースとドレインはそれぞれトランジスタのエミッタとコレクタに相当します。 R × 1k の範囲に配置し、2 つのプローブを使用して各 2 つのピン間の順方向抵抗と逆方向抵抗を測定します。 2 つのピン間の順方向抵抗と逆方向抵抗が等しい場合、両方とも K Ω のオーダーで、これら 2 つのピンはドレイン D とソース S (交換可能) となり、残りのピンはゲート G になります。4 つのピンを持つ接合型電界効果トランジスタの場合、もう一方の極はシールドになります (使用中は接地されます)。
2. 審判の門
マルチメーターの黒いプローブでチューブの 1 つの電極に触れ、赤いプローブで他の 2 つの電極に触れます。 2 回測定された抵抗値が両方とも非常に小さい場合、それは両方とも順方向抵抗であることを示します。このトランジスタはNチャネル電界効果トランジスタに属しており、黒いプローブもゲートに接続されています。
製造プロセスでは、電界効果トランジスタのソースとドレインが対称的で交換可能であり、回路の通常の動作に影響を及ぼさないことが決定されるため、これらを区別する必要はありません。ソースとドレイン間の抵抗は約数千オームです。
この方法は、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲートを決定するために使用できないことに注意してください。このタイプの真空管の入力抵抗は非常に高く、ゲートとソース間の電極間静電容量は非常に小さいため、測定中に少量の電荷によって電極間静電容量に高電圧が形成され、真空管が容易に損傷する可能性があります。
