小型デバイスへの応用における電子産業における赤外線顕微鏡
I. 応用分野: 小型半導体デバイスの温度試験における赤外線顕微鏡法
II.背景の紹介:
ナノテクノロジーの発展に伴い、トップダウンの小型化が半導体技術の分野でますます利用されるようになりました。以前は、IC 技術を「マイクロエレクトロニクス」技術と呼んでいました。これは、トランジスタのサイズがミクロン (10-6 メートル) スケールであるためです。しかし、半導体技術は非常に急速に進歩しており、2 年ごとに 1 世代進み、元のサイズの半分に縮小します。これはムーアの法則として知られています。約 15 年前、半導体はサブミクロン、つまりミクロン未満の時代に入り始め、その後、ディープ サブミクロン、つまりミクロンよりもはるかに小さい時代に入りました。2001 年までに、トランジスタは 0.1 ミクロンよりも小さくなり、100 ナノメートル未満になりました。したがって、今はナノエレクトロニクスの時代であり、将来の IC のほとんどはナノテクノロジーによって製造されるでしょう。
3番目は、技術的な要件です。
現在、電子機器の故障の主な形態は熱故障です。統計によると、電子機器の故障の55％は温度が規定値を超えたことが原因で、温度が上昇するにつれて電子機器の故障率は指数関数的に増加します。一般的に言えば、電子部品の動作信頼性は温度に非常に敏感で、デバイス温度が70-80度レベルで1度上昇するごとに、信頼性は5％低下します。そのため、デバイスの温度を高速かつ確実に検出する必要があります。半導体デバイスのサイズがますます小さくなるにつれて、検出装置の温度分解能と空間分解能に対する要求はますます高まっています。
4番目は、現場撮影の熱マップ（場所：有名な研究機関 モデル：INNOMETE SI330）
